RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
26
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2980
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link