RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3448
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link