RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
15.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3722
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link