RAM-Vergleich Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 37

Rund um 27% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 12.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 6.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2045 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns