RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
50
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2489
2326
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link