RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
37
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
3506
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link