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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Vergleichen Sie
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
58
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
1,361.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
47
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,680.7
4,241.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,361.1
1,950.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
460
651
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM-Vergleiche
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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