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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
1855
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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