RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
2361
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link