RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
2834
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link