RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
74
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
1825
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link