RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2096
3692
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kllisre 0000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link