RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
29
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2282
3075
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link