RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
89
Rund um 67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
89
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
1571
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link