RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2426
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO M418039 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link