RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3083
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link