RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
85
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
1772
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link