Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gesamtnote
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 73
    Rund um 66% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.2 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 73
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2045 left arrow 1843
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