RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
4064
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link