RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2476
2767
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link