RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gesamtnote
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
6.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1929
2078
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link