RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3859
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link