RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2271
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link