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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
24
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2267
2016
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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