RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2302
2200
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link