RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
52
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
3106
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link