RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
52
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
3238
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link