RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
2,935.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,336.8
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,935.8
6.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1144
1732
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link