RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3273
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link