RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3113
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link