RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
81
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
1651
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link