RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
50
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2326
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381S 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMN1150EC48D7W-800 1GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link