RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
3890
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link