RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
2434
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link