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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2903
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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