RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2709
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link