RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2641
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link