RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3008
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link