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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
35
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2068
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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