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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
55
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2701
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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