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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
49
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
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