RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
49
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
17.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3938
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link