RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2761
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link