RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
62
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
7.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
1808
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link