RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
49
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2532
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link