RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
62
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2319
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-012.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link