RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2690
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link