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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
71
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1650
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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