RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1998
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link