RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
70
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
1838
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link